hotline
0519-85112622
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱可控硅T。又由于可控硅最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。
可控硅的優點:
1.以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;
2.反應極快,在微秒級內開通、關斷;
3.無觸點運行,無火花、無噪音;
4.效率高,成本低等等。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的結構:
不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結(J1、J2、J3),從J1結構的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導體器件。
希拓電氣(常州)有限公司是一家集研發、生產、銷售和服務于一體的高新技術企業,常州市“龍城英才計劃”領軍單位,致力于為用戶提供電能質量、能效管理和用電安全的系統解決方案,為用戶高效和安全用電保駕護航。期待您的來電咨詢:13912801088 !